 |
1980 Klaus von Klitzing discovered the Quantized Hall Effect |
 |
1982 Horst L.
Störmer and Daniel C. Tsui discovered the Fractional Quantum
Hall Effect
ar of the discovery Robert B. Laughlin had succeeded in explaining their result. |
 |
1983 Robert B Laughling formulated the theory of fractional quantum Hall effect |
1980年德国物理学家K. von Klitzing等发现，二维电子气在低温强磁场下霍耳电导表现出以基本常数e2/h为单位的量子化平台结构，并且当这些平台出现时系统的电阻为零，没有耗散。这就是量子霍耳效应，是一种非常优美的电子集体合作现象。1982年物理学家崔琦等在迁移率更高的二维电子气中进一步发现，霍耳电导平台不仅出现在e2/h的整数倍数处，还可出现在e2/h的1/3或其它分数值处，产生分数量子霍耳效应。分数量子霍耳效应完全是由电子之间的关联效应造成的，美国物理学家R. B. Laughlin在其微观理论研究方面做了奠基性的工作。
2002年，二维电子气中又有一个意想不到的发现。德国和美国的两个实验组分别用迁移率非常高的GaAs/AlGaAs异质结样品，发现在中等强度的微波照射下，磁阻随磁场出现强烈振荡，振幅的最大值可超出无辐照电阻的十几倍，而最小值在测量范围内在相当宽的磁场范围内几乎为零。但横向霍耳电阻几乎不变，没有出现任何量子霍耳平台的迹象。零电阻的出现往往预示着新的物质状态的出现，因此这些发现立即引起了广泛的关注，成为低维关联电子系统研究的一个热点问题。